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LDJD-B 介質損耗因數(shù)和正切角測試儀

一、LDJD-B 介質損耗因數(shù)和正切角測試儀 適用標準

GB/T 1693-2007 《硫化橡膠 介電常數(shù)和介質損耗角正切值的測定方法》

LDJD-B型介質損耗因數(shù)測試儀適用于10kHZ-110MHZ下固體電氣絕緣材料的電容率和介質損耗因數(shù)（需要測液體介電常數(shù)和介質損耗因數(shù)請與我司聯(lián)系）

二、主要參數(shù)

1.信號源頻率覆蓋范圍10kHz～110MHz

2.環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

3.消耗功率：約25W；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

4.主電容調節(jié)范圍：30～540pF

5.電容直接測量范圍：1pF～2.5uF

6.Q值測量范圍：1～1023，Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；

7.S916（數(shù)顯）介電常數(shù)εr和介質損耗因數(shù)tanδ測試裝置：

數(shù)顯式微桿

平板電容器：

極片尺寸： Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調范圍：≥15mm

夾具插頭間距：25mm±0.01mm

夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）

測微桿分辨率：0.001mm

測試極片：材料測量直徑Φ50mm/Φ38mm可選  厚度可調 ≥ 15mm 

*液體杯：測量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內徑Φ48mm 、深7mm（測量液體介電常數(shù)請與我司聯(lián)系）

8. 主機尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280

三、術語和定義

1.介質損耗角δ dielectric loss angle

由絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與由此而產生的電流之間的相位差的余角。

2.介質損耗因數(shù) tanδ dielectric dissipation factor

損耗角δ的正切。

3.〔介質〕損耗指數(shù) ε_r [dielectric] loss index

該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率ε_r的乘積。

四、影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

1  頻率

因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的ε_r和tanδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質損耗因數(shù)的變化是由于介質極化和電導而產生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的。

2  溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數(shù)大值位置。

3  濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數(shù)和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的。

注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內。

4  電場強度

存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下，只要電介質中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質損耗因數(shù)與電場強度無關。